高周波誘導加熱方式でCZ法による単結晶成長装置

特徴

使用温度(H/OD/ID) 最大使用温度:2000℃
ヒーター 高周波誘導加熱方式
チャンバー 石英管タイプ

仕様

駆動部

引上昇降軸(H/OD/ID) 速度=微動:0.1~10㎜/hr
高速:2~300㎜/min
昇降ストローク=600㎜
引上回転軸 速度=0.3~60rpm
ワークコイル昇降軸 速度=微動:0.1~10㎜/hr
高速:2~300㎜/min
昇降ストローク=100㎜
ロードセル シード軸上に取付20K仕様

高周波電源

出力(H/OD/ID) 40kw
ワークコイルのみ
周波数 5~9.9khz間で一定周波固定
電源 3Φ200V±10%
50/60hz

外形寸法

本体 幅/1.45m
奥行/1.45m
床面積/2.1㎡
高さ/3.19m
制御盤 幅/0.85m
奥行/1.03m
床面積/0.88㎡
高さ/1.792m
高周波電源 幅/0.43m
奥行/0.81m
床面積/0.35㎡
高さ/0.8m
マッチングトランス 幅/0.676m
奥行/1.09m
床面積/0.74㎡
高さ/0.675m

構成